意法半导体氮化镓功率半导体PowerGaN系列上线

发布时间：2021-12-18 13:21:56 所属栏目：动态来源：互联网

导读：服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 推出了一个新系列氮化镓(GaN) 功率半导体。该系列产品属于意法半导体的STPOWER 产品组合，能够显著降低各种电子产品的能耗和尺寸。该系列的目标应

服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 推出了一个新系列—— 氮化镓(GaN) 功率半导体。该系列产品属于意法半导体的STPOWER 产品组合，能够显著降低各种电子产品的能耗和尺寸。该系列的目标应用包括消费类电子产品的内置电源，例如，充电器、PC机外部电源适配器、LED 照明驱动器、电视机等家电。消费电子产品内置电源的全球产量很大，如果提高能效，可大幅减少二氧化碳排放。在功率更高的应用中，意法半导体的 PowerGaN器件也适用于电信电源、工业驱动电机、太阳能逆变器、电动汽车及其充电设施。

意法半导体汽车与分立器件产品部副总裁、功率晶体管事业部经理Edoardo Merli 表示：“基于 GaN 的产品商用是功率半导体的下一个攻坚阶段，我们已准备好释放这一激动人心的技术潜力。今天，ST 发布了STPOWER 产品组合的新系列的首款产品，为消费、工业和汽车电源带来突破性的性能。我们将逐步扩大 PowerGaN 产品组合，让任何地方的客户都能设计更高效、更小的电源。”

据第三方测算，在使用GaN器件后，标准手机充电器最多可瘦身40%，或者在相同尺寸条件下输出更大的功率，在能效和功率密度方面也可以取得类似的性能提升，适用于消费、工业、汽车等各种电子产品。

此外，G-FET 系列还推出一个新的共源共栅 GaN 晶体管 SGT250R65ALCS，采用 PQFN 5x6封装，导通电阻为250mΩ Rds(on)，将于 2022 年第三季度提供样品
G-FET™ 晶体管系列是一种非常快、超低 Qrr、稳健的 GaN 共源共栅或 d 模式 FET，带有标准硅栅极驱动，适用于各种电源设计。

G-HEMT™ 晶体管系列是一种超快、零 Qrr 的增强模式 HEMT，并联简易，非常适合频率和功率非常高的应用。

（编辑：海南站长网）

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